机译:通过表面改性提高Cu x sub> O电阻开关存储器的性能
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机译:通过基于TiO_2的无形成电阻式随机存取存储器中的非晶ZrO_2层形成来改善电阻切换性能
机译:通过电压预应力提高Cu / SiO_2 / Pt电阻存储器的开关均匀性
机译:Cu / SiO_x / TiN结构电阻随机存取存储器的电阻转换特性及机理研究
机译:HVOF涂层的激光表面改性,以改善腐蚀和磨损性能
机译:单根Cu:7788-四氰基对二甲烷纳米线中的持续电阻切换:用于电阻随机存取存储器的有前途的材料
机译:氢碘酸对无铅CS3CU2I5钙钛矿电阻切换性能的影响
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。