机译:纳米压印光刻技术,重叠精度≤60nm
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机译:使用纳米压印光刻技术和通过液化的自我完善,在塑料基板上的大面积上制造直径为60 nm的完美圆形金属点阵列
机译:软印章UV纳米压印光刻的覆盖精度限制和器件应用的规避策略
机译:通过UV纳米压印光刻技术以nm精度生产的大面积超颖表面
机译:基于物理和算法的技术可改善光刻的对准和覆盖。
机译:纳米压印光刻初始层选择的指导图表
机译:软印花UV纳米压印光刻和设备应用规避策略的覆盖精度限制
机译:XUV投影光刻在60--80 nm处的发展