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Role of carrier and spin in tuning ferromagnetism in Mn and Cr-doped In2O3 thin films

机译:载流子和自旋在Mn和Cr掺杂In2O3薄膜中调节铁磁性中的作用

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摘要

Mn and Cr-doped In2O3 films with Sn codoping were deposited on sapphire substrate by pulsed laser deposition. The ferromagnetism of Mn-doped In2O3 films shows reversible behavior, which can be switched between “on” and “off” states by controlling the carrier density via varying Sn concentration. The enhanced ferromagnetism in Cr-doped In2O3 films is observed due to the significant increase in the carrier density with Sn doping, and the saturation magnetization can reach 2.10 μB/Cr. Most importantly, both of the experiment results reveal that the carrier density and the net spin are two crucial factors for producing and tuning ferromagnetism.
机译:通过脉冲激光沉积将具有Sn共掺杂的Mn和Cr掺杂In2O3薄膜沉积在蓝宝石衬底上。 Mn掺杂的In2O3薄膜的铁磁性表现出可逆的行为,可以通过改变Sn的浓度来控制载流子密度,从而在“开”和“关”状态之间切换。由于掺杂锡的载流子密度显着增加,因此可以观察到掺杂Cr的In2O3薄膜中的铁磁性增强,并且饱和磁化强度可以达到2.10μB/ Cr。最重要的是,两个实验结果均表明,载流子密度和净自旋是产生和调节铁磁性的两个关键因素。

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  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2010年第5期|共页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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