机译:III-V族化合物半导体表面上离子诱导纳米结构形成的通用机制
Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-2136, USA;
机译:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面离子诱导纳米结构形成的普遍机理
机译:衬底对III-V型化合物半导体的(110)表面上形成平坦的Ag膜的影响
机译:III-V型化合物半导体的富金属(001)表面的结构-艺术。没有。 075307
机译:GaAs基III-V化合物半导体中的费米能级效应,电场效应和扩散机理
机译:通过金属有机气相外延生长的III-V族化合物半导体的表面和界面结构形成。
机译:使用凹角纳米结构控制和建模III-V半导体表面的润湿特性
机译:衬底对在III-V型化合物半导体的(110)表面上形成平坦的Ag膜的影响
机译:III-V族化合物半导体(110)表面上的V柱覆盖层的新表面原子结构。