首页> 外文期刊>Applied Physics Letters >Universal mechanism for ion-induced nanostructure formation on III-V compound semiconductor surfaces
【24h】

Universal mechanism for ion-induced nanostructure formation on III-V compound semiconductor surfaces

机译:III-V族化合物半导体表面上离子诱导纳米结构形成的通用机制

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

We have examined the formation of nanostructures on ion-irradiated compound semiconductor surfaces. We computed the ion doses needed to fully deplete group V elements from the surfaces. These group V depletion doses are in good agreement with the measured threshold ion doses for nucleation of group III-rich nanostructures on a wide variety of III-V compound semiconductor surfaces. Since the group V depletion doses decrease with increasing sputtering yield, these results suggest a universal nanostructure formation mechanism which depends upon the total sputtering yield of each III-V compound.
机译:我们已经检查了在离子辐照的化合物半导体表面上纳米结构的形成。我们计算了从表面完全耗尽V组元素所需的离子剂量。这些V族耗尽剂量与在多种III-V族化合物半导体表面上成核的富含III族纳米结构的实测阈值离子剂量高度吻合。由于V族耗尽剂量随溅射产率的增加而降低,这些结果表明通用的纳米结构形成机理取决于每种III-V族化合物的总溅射产率。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号