机译:基于AlGaInP的多量子阱发光器件中电压调制的发光和负电容的温度相关反转
Division of Physics, Indian Institute of Science Education and Research, Pune—411008, Maharashtra, India;
III-V semiconductors; aluminium compounds; capacitance; electroluminescence; electroluminescent devices; gallium compounds; indium compounds; light emitting diodes; quantum well devices; semiconductor quantum wells; 8535Be; 8560Jb;
机译:基于AIGalnP的多量子阱发光器件中电压调制的光发射和负电容的温度相关反转
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