机译:化学气相沉积石墨烯层上生长的GaN薄膜的微结构缺陷
Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul 151-744, South Korea;
III-V semiconductors; chemical vapour deposition; dislocations; electron backscattering; gallium compounds; grain boundaries; semiconductor growth; semiconductor thin films; transmission electron microscopy; wide band gap semiconductors; 6172Ff; 6172Mm; 6855ag; 7920Kz; 8105Ea; 8115Gh;
机译:化学气相沉积石墨烯层上生长的GaN薄膜的微结构缺陷
机译:在化学气相沉积石墨烯薄膜上生长的高质量GaN薄膜
机译:在化学气相沉积六方BN片上生长的可转移单晶GaN薄膜
机译:使用通过在Co薄膜上化学气相沉积而生长的大面积单层石墨烯的石墨烯场效应晶体管
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:使用超薄Pt催化剂通过PECVD在GaN LED外延片上生长类似于石墨烯的无转移薄膜用于透明电极应用
机译:矫正:石墨烯层上生长的GaN薄膜的微观结构