Publisher's Note: “Molecular beam epitaxy and characterization of thin Bi<inf>2</inf>Se<inf>3</inf> films on Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> (110)” [Appl. Phys. Lett. 99, 013111 (2011)]

Tabor Phillip; Keenan Cameron; Urazhdin Sergei; Lederman David

首页> 外文期刊>Applied Physics Letters >Publisher's Note: “Molecular beam epitaxy and characterization of thin Bi2Se3 films on Al2O3 (110)” [Appl. Phys. Lett. 99, 013111 (2011)]

【24h】

Publisher's Note: “Molecular beam epitaxy and characterization of thin Bi2Se3 films on Al2O3 (110)” [Appl. Phys. Lett. 99, 013111 (2011)]

机译：出版者注：“分子束外延和Al 2 O 3 上Bi 2 Se 3 薄膜的表征（ 110）” [Appl。物理来吧99，013111（2011）]

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

开具论文收录证明 >>

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

来源
《Applied Physics Letters》 |2014年第24期|1-1|共1页
作者
Tabor Phillip; Keenan Cameron; Urazhdin Sergei; Lederman David;
展开▼
作者单位

Department of Physics, West Virginia University, Morgantown, West Virginia 26506-6315, USA;

展开▼
收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Publisher’s Note: “Improved carrier concentration control in Zn-doped Ca5Al2Sb6” [J. Appl. Phys. 110, 013721 (2011)] [J] . Journal of Applied Physics . 2011,第12期

机译：出版者注：“改善了Zn掺杂的Ca 5 Al 2 Sb 6 中的载流子浓度控制” [J.应用物理110，013721（2011）]
2. Two-step growth of high quality Bi2Te3 thin films on Al2O3 (0001) by molecular beam epitaxy [J] . Harrison S.E., Li S., Huo Y., Applied Physics Letters . 2013,第17期

机译：Al 2 O 3 （0001）上两步法生长高质量Bi 2 Te 3 薄膜分子束外延
3. Publisher's Note: “Electrical and thermoelectric properties of single-wall carbon nanotube doped Bi2Te3” [Appl. Phys. Lett. 101, 031909 (2012)] [J] . Zhang Y., Wang X. L., Yeoh W. K., Applied Physics Letters . 2013,第1期

机译：出版者注：“单壁碳纳米管掺杂Bi 2 Te 3 的电和热电性能”。物理来吧101，031909（2012）]
4. Influence of Charged Dislocation on Mobility in Degenerate Homoepitaxial Si-Doped Ga2O3 Films on $(overline{2}01) eta$-Ga2O3 by Laser Molecular Beam Epitaxy [C] . Xuanhu Chen, Jiandong Ye, Shulin Gu, Compound Semiconductor Week . 2019

机译：带电脱位对脱荷子掺杂的流动性的影响在脱荷子掺杂Ga 2 O 3 薄膜上的 $（ ovline {2} 01） beta $ -GA 2 O 3 通过激光分子束外延
5. Characterization of INF56, a gene expressed during infection structure development of the bean rust fungus, Uromyces appendiculatus. [D] . Xuei, Xiaoling. 1991

机译：INF56的特征，INF56是在豆类锈菌乌头霉菌感染结构发育过程中表达的基因。
6. Controlled Biomineralization of Magnetite (Fe(inf3)O(inf4)) and Greigite (Fe(inf3)S(inf4)) in a Magnetotactic Bacterium [O] . D. A. Bazylinski, R. B. Frankel, B. R. Heywood, 1995

机译：趋磁细菌中磁铁矿（Fe（inf3）O（inf4））和钙铁矿（Fe（inf3）S（inf4））的受控生物矿化
7. Room temperature photoluminescence from InxAl(1-x)N films deposited by plasma-assisted molecular beam epitaxy [O] . Kong, W, Mohanta, A, Roberts, AT, 2014

机译：等离子体辅助分子束外延沉积的In al （1-x） N薄膜的室温光致发光

Publisher's Note: “Molecular beam epitaxy and characterization of thin Bi2Se3 films on Al2O3 (110)” [Appl. Phys. Lett. 99, 013111 (2011)]

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅