机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的InAlN / InGaN / AlGaN双异质结构中的优异载流子限制
Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, People's Republic of China;
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的InAlN / InGaN / AlGaN双异质结构中的优异载流子限制
机译:通过金属有机化学气相沉积获得的具有改善的载流子限制和高温传输性能的InAlN / InGaN / GaN双异质结构
机译:通过金属有机化学气相沉积法在硅上生长的InAlN / GaN异质结构的热稳定性
机译:通过金属 - 有机化学气相沉积在蓝宝石上生长的AlGaN / Ingan异质结构场效应晶体管
机译:金属有机化学气相沉积N极Ingan和Inn电子设备
机译:通过金属有机化学气相沉积法在c面GaN衬底上生长的富铝AlInN的结构特性
机译:AlN生长温度对原位金属有机化学气相沉积生长AlN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管的陷阱密度的影响
机译:金属有机化学气相沉积制备InGaasp / Gaas结构中的光致发光效率和过量载流子限制