机译:原子层沉积生长阶梯组成梯度薄膜晶体管沟道层的设计
School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do 440-746, South Korea;
机译:原子层沉积生长阶梯组成梯度薄膜晶体管沟道层的设计
机译:使用原子层沉积生长的多层沟道增强氧化物薄膜晶体管的电稳定性
机译:基于原子层沉积生长的Al_2O_3中间层的ZnO基薄膜晶体管的沟道工程
机译:用原子层沉积生长的SiO_2膜的特性作为低温多晶硅薄膜晶体管的栅极绝缘子
机译:薄膜应用的分子工程:区域选择性原子层沉积(ALD)和分子原子层沉积(MALD)。
机译:原子层沉积技术制备的双层沟道AZO / ZnO薄膜晶体管
机译:具有基于空心阴极等离子体辅助原子层沉积的GaN沟道的低温薄膜晶体管
机译:等离子体增强原子层沉积ag薄膜的类似等离子体行为。