机译:GaInN / GaN发光二极管的效率-电流曲线中的“掉头”特征
Future Chips Constellation, Department of Electrical, Computer and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA;
机译:GaInN / GaN发光二极管的效率-电流曲线中的“掉头”特征
机译:p型Gainn间隔层对Gainn / GaN发光二极管效率的有益效果
机译:通过GaInN底层提高绿色GaInN / GaN发光二极管的性能
机译:GaInN / GaN发光二极管效率-载流子浓度曲线的对称性及其与下垂机理的关系
机译:极化匹配的基于GaInN的发光二极管的效率和载流子传输
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:增益/ GaN发光二极管中的光致发光激发诱导的电致发光