机译:无结晶体管中由横向电场引起的迁移率降低较少
IMEP-LAHC, Grenoble INP, Minatec, BP 257, 38016 Grenoble, France;
机译:无结晶体管中由横向电场引起的迁移率降低较少
机译:平面连接晶体管中的沟道厚度依赖性迁移率劣化
机译:壳掺杂无结晶体管中迁移率及其降解参数的评估
机译:增强模式的辐射诱导的DC参数劣化GaN-ON-(111)硅高电子移动晶体管
机译:DMOS晶体管中的辐射引起的迁移率降低。
机译:纳米粒子和铜电极中诱导金属增强非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的迁移率
机译:使用碲纳米线的接触屏障自由,高迁移性,双门连接无线晶体管
机译:反向栅极偏压诱导alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的退化。