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Tuning the permeability of permalloy films for on-chip inductor applications

机译:为片上电感器应用调整坡莫合金膜的磁导率

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摘要

In this work, we demonstrate that the permeability of 1 u0002m thick NiFe/Cr multilayer films can bentuned by varying the thickness of individual NiFe layers while keeping the total multilayer filmnthickness constant. Our results show that the permeability can be increased from 170 to 650 bynvarying the NiFe thicknesses from 100 to 50 nm. The thickness dependant permeability variationnwas attributed to the presence of stripe domains, as examined by hysteresis measurements andnmagnetic force microscope imaging. Films with thinner NiFe layers coupled with on-chip spiralninductors enable an inductance increase by a factor of 6. © 2010 American Institute of Physics.nu0004doi:10.1063/1.3502478
机译:在这项工作中,我们证明了通过改变单个NiFe层的厚度,同时保持总多层膜厚度不变,可以大大削弱1 u0002m厚的NiFe / Cr多层膜的渗透性。我们的结果表明,通过改变NiFe厚度从100到50 nm,可以将磁导率从170增加到650。厚度相关的磁导率变化归因于磁条区域的存在,如磁滞测量和非磁力显微镜成像所检查的。带有更薄的NiFe层的薄膜以及片上螺旋电感器使电感增加了6倍。©2010 American Institute of Physics.nu0004doi:10.1063 / 1.3502478

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2010年第16期|p.1-3|共3页
  • 作者单位

    School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Ira A. Fulton Schools of Engineering,Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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