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Controlled spin-torque driven domain wall motion using staggered magnetic wires

机译:使用交错电磁线控制自旋转矩驱动的畴壁运动

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摘要

Domain wall (DW) memory devices such as racetrack memory offer an alternative to the hard disk drive in achieving high capacity storage. In DW memory, the control of domain wall positions and their motion using spin-transfer torque is an important challenge. In this Letter, we demonstrate controlled domain wall motion using spin-transfer torque in staggered wires. The devices, fabricated using electron-beam and laser lithography, were tested using magneto-optical Kerr microscopy and electrical transport measurements. The depinning current is found to depend on the device dimensions of the staggering wires. Thus, the proposed staggering configuration can be utilized to fine-tune the properties of DW devices for memory applications.
机译:域墙(DW)存储设备(例如跑道存储器)在实现高容量存储方面是硬盘驱动器的替代方案。在DW存储器中,使用自旋转移力矩控制畴壁位置及其运动是一项重要的挑战。在这封信中,我们演示了在交错导线中使用自旋转移力矩控制的畴壁运动。使用电子束和激光光刻技术制造的设备已通过磁光Kerr显微镜和电传输测量进行了测试。发现去钉电流取决于交错导线的器件尺寸。因此,可以利用所提出的交错配置来微调用于存储器应用的DW设备的特性。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2020年第3期|032402.1-032402.4|共4页
  • 作者单位

    King Abdullah Univ Sci & Technol Comp Elect & Math Sci & Engn Thuwal 239556900 Saudi Arabia;

    Sultan Qaboos Univ Dept Phys POB 36 PC 123 Muscat Oman;

    Nanyang Technol Univ Sch Phys & Math Sci 21 Nanyang Link Singapore 637371 Singapore;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 04:58:50

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