机译:高密度激发下InAs表面太赫兹辐射的磁场感应分量的极性反转
The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan;
机译:(100)InAs的太赫兹辐射功率中的磁场感应四方位角依赖性
机译:InAs的太赫兹辐射和二次谐波产生:体电场对表面电场的贡献
机译:大型P掺杂硅表面的太赫兹电场极性逆转
机译:高密度激励下磁场引起的inaHtz辐射的机制交叉
机译:深海沉积物中记录的地磁极性转变的详细信息(古磁性,反极性,海洋地质)
机译:铁磁半导体薄膜中太赫兹脉冲的电场分量引起的超快磁化调制
机译:量子磁场和太赫兹辐射下的感应电荷密度振荡
机译:在冠状流明中逆转磁场极性的证据