机译:纤锌矿型InGaN / GaN量子阱激光器的多体光学增益和带内弛豫时间及与实验的比较
Department of Photonics and Information Engineering, Catholic University of Daegu, Hayang, Kyeongsan, Kyeongbuk, South Korea 712-702;
机译:纤锌矿型GaN / AlGaN量子阱激光器中多体光学增益的晶体取向依赖性
机译:InGaNAs量子阱激光器的带内弛豫时间及与实验的比较
机译:具有多体效应的应变层纤锌矿GaN量子阱激光器的非马尔可夫增益
机译:纤锌矿GaN / AlGaN量子阱激光器中多体光增益与压电场效应的结构相关性
机译:PICCONCOND光学脉冲的可靠生成及其在半导体内带内弛豫时间的测量中的应用。
机译:InGaN / GaN量子阱结构中的表面等离子体激元耦合动力学和辐射效率的提高
机译:纤锌矿型GaN / InGaN激光结构中极化场的自由载流子筛选
机译:体和量子阱半导体激光器的增益和折射率光谱中的多体效应。