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Electrical characterization of Fermi level pinning in metal/3,4,9,10 perylenetetracarboxylic dianhydride interfaces

机译:金属/ 3,4,9,10 ylene四羧酸二酐界面费米能级固定的电学表征

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摘要

Systematic studies of current injection from different metal electrodes to metal/3,4,9,10 perylenetetracarboxylic dianhydride (PTCDA) interfaces have been carried out. It has been observed that the barrier for carrier injection cannot be explained by simple vacuum alignment scheme. Moreover, injection barrier is almost independent of metal work function. These observations are explained by the changes of barrier height due to interface dipole barrier which compensate for the difference of work function of PTCDA and metals, leading to metal independent injection barrier and Fermi level pinning at metal/PTCDA interfaces.
机译:从不同的金属电极向金属/ 3,4,9,10 per四羧酸二酐(PTCDA)界面注入电流的系统研究已经完成。已经观察到,不能通过简单的真空对准方案来解释用于载流子注入的障碍。而且,注入势垒几乎与金属功函数无关。这些观察结果可以通过界面偶极势垒引起的势垒高度变化来解释,该偶极势垒可以补偿PTCDA和金属的功函差,从而导致金属独立注入势垒和金属/ PTCDA界面处的费米能级钉扎。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2006年第22期|p.222114.1-222114.3|共3页
  • 作者

    Ruchi Agrawal; Subhasis Ghosh;

  • 作者单位

    School of Physical Sciences, Jawaharlal Nehru University, New Delhi 110067, India;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;计量学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:22:13

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