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Voltage-controlled variable light emissions from GaN codoped with Eu, Er, and Tm

机译:掺有Eu,Er和Tm的GaN的电压控制可变发光

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摘要

In this letter, a model to calculate the emission intensities of different rare-earth (RE) dopants in GaN is proposed based on the quantum collision theory and Judd-Ofelt approximation. The possible white light emission from Eu-, Er-, and Tm-codoped GaN is predicted according to the Commission International de I' Eclairage chromaticity diagram. Variable-wavelength emissions can be realized by adjusting the relative concentrations of different RE dopants in GaN and the bias voltage of the applied electric field. The availability of voltage-controlled light emissions and white light emission of the RE-doped GaN electroluminescent devices may have great potential for application in displays.
机译:在本文中,基于量子碰撞理论和Judd-Ofelt近似,提出了一个计算GaN中不同稀土掺杂剂发射强度的模型。根据国际照明委员会色度图预测了Eu,Er和Tm掺杂的GaN可能发出的白光。可以通过调节GaN中不同RE掺杂剂的相对浓度和所施加电场的偏置电压来实现可变波长发射。 RE掺杂的GaN电致发光器件的电压控制的光发射和白光发射的可用性可能具有在显示器中应用的巨大潜力。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2007年第14期|p.143514.1-143514.3|共3页
  • 作者

    L Zhang; F. Q. Liu; C. Liu;

  • 作者单位

    Key Laboratory of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, and Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072, China;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;计量学;
  • 关键词

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