...
机译:用于金属氧化物半导体场效应晶体管应用的图案化衬底上再生的GaN欧姆接触的透射电子显微镜研究
机译:130 mm〜(-1)β-Ga_2O_3金属半导体场效应晶体管,具有低温熔化气相外延 - 再生欧姆触点
机译:通过金属有机化学气相沉积获得再生欧姆接触的高频AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:通过分子束外延生长具有再生欧姆接触的金属面InAIN / AIN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:使用低功函数金属Y(Yb)和Al
机译:晶格匹配的氮化铟铝高电子迁移率晶体管,带有MBE重生欧姆接触
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:基于再生和植入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制造与评价