机译:金属有机化学气相沉积在(1100)m面蓝宝石上(1122)半极性GaN的外延横向过生长
机译:通过原位外延横向过生长提高m面蓝宝石上的半极性(1122)GaN的光学质量
机译:金属有机气相外延沉积在M面蓝宝石上的半极性GaN模板和外延侧向过长的薄膜的微观结构表征。
机译:外延横向过生长有效地阻挡m蓝宝石上的半极性(1122)-GaN层中的棱柱堆叠缺陷,从而有效地阻挡了平面缺陷
机译:金属有机化学气相沉积法在m平面6H-SiC上外延生长(1100)m平面GaN
机译:氮化镓的外延横向过长的实验研究和氮化镓金属有机化学气相沉积过程的模拟。
机译:使用两步横向外延过生长过滤半极性(11-22)GaN中的缺陷
机译:金属有机化学气相沉积法形成的a面GaN的外延横向过生长
机译:金属有机化学气相沉积法横向外延生长的GaN非平面衬底的三维微观结构表征