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Two-dimensional analytical Mott-Gurney law for a trap-filled solid

机译:陷阱填充固体的二维解析Mott-Gurney定律

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摘要

The letter presents a two-dimensional analytical model of the space charge limited (SCL) current injection in a solid with exponentially distributed trap energy state. By considering that the electrons are injected from an infinitely long emission strip of width W, the one-dimensional SCL current density is enhanced by a factor of 1 +F(4/π)/(W/L), where F= 1/(l+2) measures the mean position of the injected electrons in the solid of length L, and l is the ratio of the distribution of the traps to the free carriers. The analytical formula is verified by using a two-dimensional device simulator.
机译:这封信提出了在空间内具有呈指数分布的陷阱能态的空间电荷限制(SCL)电流注入的二维分析模型。通过考虑从宽度为W的无限长的发射带中注入电子,一维SCL电流密度提高了1 + F(4 /π)/(W / L),其中F = 1 / (l + 2)测量注入的电子在长度为L的固体中的平均位置,l是陷阱与自由载流子的分布之比。通过使用二维设备模拟器来验证分析公式。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2007年第15期|p.153505.1-153505.3|共3页
  • 作者单位

    School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;计量学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:21:02

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