机译:通过使未掺杂的微柱结构GaN和p-GaN都粗糙化以及采用全向反射器来增强InGaN发光二极管的光提取能力
机译:通过粗糙化p-GaN表面和未掺杂GaN表面,提高InGaN-GaN发光二极管的亮度强度
机译:具有纳米粗糙化的p-GaN表面的基于InGaN / GaN的发光二极管的光提取效率的提高
机译:使用二维光子晶体和全向反射器的薄膜InGaN-GaN发光二极管增强的垂直提取效率
机译:通过使用晶片键合方法粗糙化P-GaN表面和未掺杂的GaN表面来增强InGaN-GaN发光二极管的亮度强度
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:使用两步粗糙化方法增强独立式GaN基倒装芯片发光二极管的光提取