机译:a面GaN中涉及基础堆叠缺陷的激子动力学的低温时间分辨阴极发光研究
Institut de Photonique et d'Electronique Quantiques, Ecole Polytechnique Federate de Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, Switzerland;
Institut de Photonique et d'Electronique Quantiques, Ecole Polytechnique Federate de Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, Switzerland;
Institut de Photonique et d'Electronique Quantiques, Ecole Polytechnique Federate de Lausanne (EPFL), 1015 Lausanne, Switzerland Croupe d'Etude des Semiconducteurs, CNRS-Universite de Montpellier II, 34095 Montpellier, France;
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机译:氢化物气相外延生长的A面外延侧向生长的Gan基底堆积断层的激子局部化
机译:使用前激励型光电子枪通过时空分辨阴极发光研究GaN的表面下基面堆叠断层周围的局部载流子动力学
机译:非极性a平面和半极性(11(2)2)GaN的基面堆叠故障特性的比较研究
机译:皮秒时间分辨阴极发光用于探测a(Al,Ga)N / GaN平面量子阱中的激子动力学
机译:时间解析光谱研究有机铅碘化物钙钛矿中载流子和激子动力学
机译:共聚焦光致发光研究以识别基础堆叠缺陷在半极性InGaN / GaN发光二极管的光学特性中的作用
机译:通过低温时间分辨阴极发光研究了涉及a面GaN中基础堆积缺陷的激子动力学。