机译:通过集成高κ电介质在InGaAs / InP中实现具有集成电荷传感器的栅极定义的双量子点
Division of Solid State Physics, Lund University, Box 118, S-22100 Lund, Sweden MC2, Chalmers University of Technology, S-41296 Goth- enburg, Sweden;
rnDivision of Solid State Physics, Lund University, Box 118, S-22100 Lund, Sweden;
Division of Solid State Physics, Lund University, Box 118, S-22100 Lund, Sweden;
Division of Solid State Physics, Lund University, Box 118, S-22100 Lund, Sweden;
机译:通过集成高κ电介质在InGaAs / InP中实现具有集成电荷传感器的门定义双量子点
机译:通过并入HfO_2层作为栅极介电层,在InGaAs / InP中实现的栅极定义量子点器件
机译:具有垂直集成电荷传感器的单栅累积模式InGaAs量子点
机译:通过结合高κ电介质材料在InGaAs / InP异质结构上实现门定义的量子器件
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:在InP(100)衬底上生长的GaSb / InGaAs II型量子点的结构和光学性质
机译:通过集成高κ电介质在InGaAs / InP中实现具有集成电荷传感器的栅极定义的双量子点