机译:垂直各向异性带中的临界电流密度,沃克场和畴壁速度与面内磁各向异性的关系
Hitachi Cambridge Laboratory, Cambridge CB3 OHE, United Kingdom;
Hitachi Cambridge Laboratory, Cambridge CB3 OHE, United Kingdom,Institute of Physics ASCR, v.v.i., Cukrovarnickd 10,162 53 Praha 6, Czech Republic;
机译:钉扎场对垂直磁各向异性纳米线中电流诱导畴壁运动的临界电流密度的影响
机译:通过使用具有垂直磁各向异性的亚铁磁性纳米线降低电流诱导的畴壁运动的固有临界电流密度
机译:涂层导体中低磁场依赖性和临界电流密度的各向异性
机译:使用具有垂直磁各向异性的亚铁磁性纳米线来减少电流诱导的畴壁运动的内在临界电流密度
机译:用于减小电流的开关设备的垂直磁各向异性材料。
机译:一阶和二阶垂直磁各向异性的磁性结构中自旋霍尔效应引起的临界开关电流密度
机译:调整垂直磁各向异性,旋转霍尔切换 Ta中亚单层插入的电流密度和畴壁速度 CoFeB / mgO异质结构