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Improved electron injection in poly(9,9' -dioctylfluorene)-co-benzothiodiazole via cesium carbonate by means of coannealing

机译:通过共退火,通过碳酸铯改进聚(9,9'-二辛基芴)-共-苯并硫代二唑的电子注入

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摘要

We investigate the electron-injecting properties of a ZnO substrate modified by a thin layer of solution-processed Cs_2CO_3 into poly(9,9'-dioctylfluorene)-co-benzothiodiazole (F8BT). Ultraviolet photoemission spectroscopy studies reveal that in the case of coannealed F8BT/Cs_2CO_3 films, the Fermi level is pinned at the lowest unoccupied molecular orbital of the F8BT, indicating significant n-doping of the polymer. X-ray photoemission spectroscopy measurements reveal the presence of Cs_2CO_3 in the coannealed F8BT/Cs_2CO_3 films. Ⅰ-Ⅴ measurements in single carrier devices show a significant improvement in the electron injection of the coannealed F8BT/Cs_2CO_3, in agreement with the observed n-doping of the polymer upon coannealing.
机译:我们研究了ZnO衬底的电子注入特性,该衬底被溶液处理的Cs_2CO_3薄层修饰成聚(9,9'-二辛基芴)-共苯并噻二唑(F8BT)。紫外光发射光谱研究表明,在共退火的F8BT / Cs_2CO_3薄膜中,费米能级固定在F8BT的最低未占据分子轨道上,表明该聚合物存在明显的n掺杂。 X射线光电子能谱测量表明共退火的F8BT / Cs_2CO_3薄膜中存在Cs_2CO_3。在单载流子器件中进行的Ⅰ-Ⅴ测量表明,共退火的F8BT / Cs_2CO_3的电子注入有明显改善,这与在共退火时观察到的聚合物的n掺杂相符。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2011年第11期|p.113306.1-113306.3|共3页
  • 作者单位

    Cavendish Laboratory, JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom;

    Cavendish Laboratory, JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom;

    Department of Physics, National University of Singapore, 117542 Singapore;

    Cavendish Laboratory, JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom,Department of Physics, National University of Singapore, 117542 Singapore;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:17:49

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