机译:从InGaN / GaN发光二极管效率下降测量中提取的俄歇复合系数的不确定性
NUSOD Institute LLC, Newark, Delaware 19714-7204, USA;
Department of Electrical Engineering, University of Kassel, 34121 Kassel, Germany;
Department of Electrical Engineering, University of Kassel, 34121 Kassel, Germany;
机译:InGaN / GaN多量子阱绿色发光二极管中的Shockley-Read-Hall重组和效率下降
机译:IngaN / GaN发光二极管中的热和效率下垂:使用温度依赖性RF测量去耦多体效应
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机译:氮化铟镓基发光二极管中辐射复合速率对效率下降的重要性
机译:研究和优化GaN基发光二极管中的载流子传输,载流子分布和效率下降
机译:理解基于InGaN的发光二极管效率下降的实验方法综述
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