机译:处于ln_(0.53)Ga_(0.47)As / AI_2O_3界面时电子陷阱态的性质
Chaire de Simulation à I'Echelle Atomique (CSEA), Ecole Polytechnique Fédérate de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland;
IMEC, Kapeldreef75, B-3001 Leuven, Belgium;
Chaire de Simulation à I'Echelle Atomique (CSEA), Ecole Polytechnique Fédérate de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland;
机译:表面蚀刻法制备的浅二维电子气中ln_(0.53)Ga_(0.47)As / ln_(0.7)Ga_(0.3)As / ln_(0.53)Ga_(0.47)As的Rashba自旋轨道相互作用
机译:以Ai_2o_3 / ga_2o_3(gd_2o_3)作为栅极电介质的高性能自对准反型沟道Ln_(0.53)ga_(0.47)作为金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:In_(0.53)Ga_(0.47)As掺杂浓度对In_(0.53)Ga_(0.47)As的反演
机译:在Ge和In_(0.53)界面处的主动陷阱确定为具有介电层的基板的基板
机译:碱卤化物/金属界面的激动的电子状态和超快动态电子捕获
机译:电容等效厚度的边界阱提取以反映对300mm Si衬底上原子层沉积High-k / In0.53Ga0.47As的量子力学效应
机译:电子陷阱状态在IN0.53GA0.47AS / AL2O3接口的反演下的性质
机译:分子束外延In0.53(Ga(x)al(1-x))0.47as / Inp中的陷阱