机译:固相外延在GaAs(001)上生长Fe_3Si / Ge / Fe_3Si三层
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7,10117 Berlin, Germany;
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机译:理论研究Fe_3Si在GaAs上的生长:Fe_3Si / GaAs(001),(110)通过DFT的稳定性和电子性质
机译:GaAs(001)上生长的外延Fe_3Si / Ge / Fe_3Si薄膜多层
机译:通过分子束外延在CaF_2 / Si(111)上外延生长Fe_3Si / CaF-2 / Fe_3Si磁性隧道结结构
机译:GaAs上外延Fe_3SI薄膜的磁化反转过程(001)
机译:硅(001):磷气源分子束外延过程中的磷掺入:对薄膜生长动力学,表面形态和锗量子点覆盖层的自组织的影响。
机译:在图案化的GaAs(001)上定向的丘堆动力学自组装:可调整的排列模式放大和自限生长
机译:使用固相外延的GaAs(001)的Fe3SI / GE / FE3SI三层仪的生长
机译:金属有机气相外延生长(Gaas)(sub 1-x)(Ge(sub 2))(sub x)合金层时的相分离和小面形成