机译:通过质子辐照和退火控制在4H-SiC中生成固有的近红外色中心
FAU Erlangen Nurnberg, Dept Phys, Lehrstuhl Angew Phys, D-91058 Erlangen, Germany;
FAU Erlangen Nurnberg, Dept Phys, Lehrstuhl Angew Phys, D-91058 Erlangen, Germany;
FAU Erlangen Nurnberg, Dept Phys, Inst Opt Informat & Photon, D-91058 Erlangen, Germany;
FAU Erlangen Nurnberg, Dept Phys, Lehrstuhl Angew Phys, D-91058 Erlangen, Germany;
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机译:当退火能量为150 MeV的Kr离子辐照的LiF晶体时产生色心
机译:低能电子辐照n型4H-SiC的EB中心和M中心的退火行为
机译:通过质子辐照的4H-SiC中的补偿效应评估深水平Z(1)/ Z(2)的固有性质
机译:低能聚焦质子束辐照后横向解析DLTS研究4H-SiC中固有缺陷扩散
机译:高能质子辐照超高分子量聚乙烯的交联起始和氢退火研究。
机译:5 MeV质子辐射对氮化SiO2 / 4H-SiC MOS电容的影响及相关机制
机译:低能电子辐照n型4H-SiC的EB中心和M中心的退火行为