机译:通过升华在钨单晶种上生长块状(100)氮化dium晶体
Kansas State Univ, Dept Chem Engn, Durland Hall, Manhattan, KS 66506 USA;
Georgia Gwinnett Coll, Sch Sci & Technol, Lawrenceville, GA 30043 USA;
Georgia Gwinnett Coll, Sch Sci & Technol, Lawrenceville, GA 30043 USA;
Georgia Gwinnett Coll, Sch Sci & Technol, Lawrenceville, GA 30043 USA;
Nitride Solut Inc, 3333 West Pawnee St, Wichita, KS 67213 USA;
Kansas State Univ, Dept Chem Engn, Durland Hall, Manhattan, KS 66506 USA;
机译:SiC晶种上AIN和GaN块状晶体的升华生长
机译:SiC晶种上的AIN晶体的升华生长
机译:通过升华研究AlN块状晶体的晶种生长
机译:通过升华晶体生长对钨(100)的氮化钛外延
机译:氮化铝-碳化硅合金,氮化铝和氮化dium块状晶体的升华生长以及氮化铝的热氧化。
机译:钨罐升温升温升华生长升高的均质化45毫米ALN单晶
机译:二次重结晶Ni(100)基材上毫米尺寸的单晶六方硼氮化物单层的生长动态
机译:钨单晶的制备与性能。第一部分单晶钨的生长用于轧制单晶板。第二部分。卷式单晶钨板