机译:利用原子层沉积的高迁移率超薄晶体氧化铟薄膜晶体管
Korea Univ, Dept Electromech Syst Engn, Sejong 339700, South Korea;
ETRI, Real Device Res Div, Daejeon 34129, South Korea;
ETRI, Real Device Res Div, Daejeon 34129, South Korea;
ETRI, Real Device Res Div, Daejeon 34129, South Korea;
ETRI, Real Device Res Div, Daejeon 34129, South Korea;
ETRI, Real Device Res Div, Daejeon 34129, South Korea;
Korea Univ, Dept Electromech Syst Engn, Sejong 339700, South Korea;
机译:液态二甲基(N-乙氧基-2,2-二甲基丙酰胺基)铟的等离子体增强原子层沉积在低温下生长氧化铟薄膜,以用于高迁移率薄膜晶体管
机译:通过等离子增强原子层沉积的高迁移率多晶氧化铟薄膜晶体管
机译:用于薄膜晶体管应用的氧化铟镓薄膜的原子层沉积
机译:高介电常数和高迁移率氧化物半导体薄膜晶体管的原子层沉积简介
机译:氧化锌发光二极管,氧化铟锌薄膜晶体管和氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管基生物传感器的制造与表征。
机译:用于薄膜晶体管的氧化铟纳米膜的原子层沉积
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