机译:原子层沉积的AI_2O_3覆盖层对H端金刚石表面空穴通道的热稳定性及其电学性能
Department of Electrical and Electronic Engineering, Saga University, Saga 840-8502;
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
机译:界面硫化和热退火对GaAs衬底上原子层沉积Al_2O_3栅电介质电学性能的影响
机译:NO 2气体的吸附特性及其对H端金刚石表面空穴浓度的强烈影响
机译:NO_2气体的吸附特性及其对氢封端金刚石表面空穴浓度的强烈影响
机译:4H-SIC堆叠电介质的原子层沉积LA_2O_3 /热氮化SiO_2的电性能(0001)
机译:铁表面的氧化膜和润滑剂覆盖层的热化学。
机译:稳定的H2O-太阳能乙二醇混合物基多壁碳纳米管纳米流体的热性质和电导率实验研究:建立新的相关性
机译:在H封端的金刚石表面上掺杂NO2和O3吸附的空穴载体
机译:表面粗糙度和半无限材料的光学性质;介电覆盖层的影响。