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机译:采用直接键合的高输出功率深紫外发光二极管组件
Nichia Corp, LED Dev Div, Anan, Tokushima 7748601, Japan|Tohoku Univ, Frontier Res Inst Interdisciplinary Sci FRIS, Sendai, Miyagi 9808578, Japan;
Nichia Corp, LED Dev Div, Anan, Tokushima 7748601, Japan;
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Tohoku Univ, Frontier Res Inst Interdisciplinary Sci FRIS, Sendai, Miyagi 9808578, Japan;
Tohoku Univ, Frontier Res Inst Interdisciplinary Sci FRIS, Sendai, Miyagi 9808578, Japan|Tohoku Univ, RIEC, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
机译:高输出功率255/280/310 nm深紫外发光二极管及其寿命特性
机译:实现340-NM波段高输出功率(> 7MW)inalGan量子孔紫外线发光二极管,P型InalGaN
机译:具有n-ZnO纳米棒/ p-GaN直接键合异质结结构的ZnO基发光二极管的近紫外电致发光
机译:邀请:高输出电源深紫色发光二极管,具有使用室温粘合制造的半球形镜片
机译:深度紫外发光二极管的偏振工程
机译:深紫色发光二极管光疗法
机译:基于Algan的深紫外发光二极管的奇妙光学性能与基于内仑的最后量子屏障和步进电子阻挡层