机译:勘误表:“晶格约束对BAIN和BGaN合金的结构和电子性能的影响:一项第一性原理研究” [Appl。物理Express 11,025501(2018)]
Mie Univ, Dept Phys Engn, Tsu, Mie 5148507, Japan;
Mie Univ, Dept Phys Engn, Tsu, Mie 5148507, Japan;
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机译:晶格约束对BAIN和BGaN合金的结构和电子性能的影响:第一性原理研究
机译:错误:“GA_2O_3-AL_2O_3合金的结构和电子特性”[APPL。物理。吧。 112,242101(2018)]
机译:勘误表:“立方Cr
机译:BC2N的电子结构,光学性质和晶格动力学的第一性原理研究
机译:镧-铟(3)-二元锡合金体系中超导性,电子结构,晶格不稳定性和冶金性能的相互依赖
机译:四元GaAs1-x-y的电子和光学性质ñX双ÿ 与GaAs晶格匹配的合金:第一性原理研究
机译:错误:“Ga2O3-Al2O3合金的结构和电子性质”Appl。物理。吧。 112,242101(2018)