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机译:中子反射率方法探测的光刻胶潜像和显影剂图像
Polymers Division National Institute of Standards and Technology Gaithersburg, Maryland 20899, USA;
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Center for Neutron Research National Institute of Standards and Technology Gaithersburg, Maryland 20899, USA;
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机译:光酸反应扩散潜能的中子反射率表征和用于极端紫外光刻的分子抗蚀剂显影图像
机译:光酸反应扩散潜能的中子反射率表征和用于极端紫外光刻的分子抗蚀剂显影图像
机译:由镜外中子反射率确定的潜像粗糙度的横向长度标尺
机译:用中子和X射线反射率检查的光致抗蚀剂模型中的反应前沿
机译:利用紧凑型电子中子发生器评估模拟和数字中子成像方法和技术的中子成像平台的表征
机译:通过偏振中子反射率探测的人工磁图案阵列
机译:亚微米光刻胶光栅的潜像衍射
机译:使用实时潜像在光刻胶中写入长全息衍射光栅