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机译:二维范德华异质结构的新机遇:制造陡坡晶体管
Tsinghua Univ Ctr Brain Inspired Comp Res Dept Precis Instrument Beijing 100084 Peoples R China;
Wuhan Univ Sch Elect Engn & Automat Wuhan 430072 Peoples R China;
Inner Mongolia Univ Sch Phys & Technol Hohhot 010021 Peoples R China;
2D materials; cold sources; DFT-NEGF; steep-slope transistors; van der Waals heterostructures;
机译:当2D材料遇到分子时:有机/无机杂化范德华混合结构的机遇与挑战
机译:van der WaAss的生长模式的应变驱动和层数依赖性交叉杂交:2D / 2D层逐层水平外延至2D / 3D垂直重新定位
机译:外延2D SnSe2 / 2D WSe2 van der Waals异质结构
机译:推进Monolayer 2D NMOS和PMOS晶体管从增长集成到Van der Waals界面工程,实现最终CMOS缩放
机译:从Van der Waals到库仑异质结构:了解2D材料中的电荷转移
机译:垂直隧穿单电子晶体管的平面和范德华异质结构
机译:van der Waals异质结构:2D半导体中可控磁性接近效应和电荷转移,双层钙钛矿氧化物van der waals异质结构(ADV。Mater。50/2020)