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机译:高性能光电器件阵列中单层二硫化钼中的原子空位控制和元素取代
Gwangju Inst Sci & Technol Sch Mat Sci & Engn Gwangju 61005 South Korea;
Korea Inst Sci & Technol Adv Anal Ctr Seoul 02792 South Korea;
Korea Basic Sci Inst Seoul 02841 South Korea;
defect engineering; elemental substitution; molybdenum disulfides; transition metal dichalcogenides; vacancy control;
机译:用于柔性逆变器装置阵列的大面积钼二硫化物单层膜的取代氟掺杂
机译:用于高性能光电器件的单层MOS2薄膜的晶圆级替代掺杂
机译:缺少二硫化钼单层热电器的障碍效果
机译:二硫化钼表面上产生的原子线和原子交界的理论研究
机译:朝向低温固体源合成单层钼二硫化物和低电阻触点到二硫化二硫化钼的装置
机译:化学气相沉积生长的原子单层三角二硫化钼压电中的压电效应
机译:过渡金属二均甲基化物:高性能光电器件阵列单层钼二硫化物中的原子空位控制和元素取代(ADV。Funct。Mater。11/2020)
机译:二硫化钼的润滑性能。第3部分。含二硫化钼的油在流体润滑中的性能