机译:MBE生长的GaN外延层中晶格振动和自由电子的反射率研究
机译:通过MOCVD以各种Al_(0.3)Ga_(0.7)N / GaN超晶格为中间层生长的高质量GaN / Si(111)外延层
机译:射频等离子体功率对MBE生长的无意掺杂GaN外延层载流子弛豫动力学的影响
机译:RF-MBE在蓝宝石衬底上外延生长高质量InN薄膜-低温生长的InN / GaN缓冲层的作用
机译:基于CD_(1-X)Zn_yte基板生长的CD_XHG_(1-x)TE外延层深度的空间分布的晶格振动变化性质研究
机译:用于非常长的波长红外NBN探测器的MBE-生长III型超晶格的研究
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:使用在独立式GaN衬底上生长的外延n-GaN层实现高稳定性和低态密度Al2O3 / GaN界面
机译:有机金属化学气相沉积mg掺杂GaN外延层的磁共振研究2。杂志文章