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Ultrafast phenomena in II_VI semiconductors

机译:II_VI半导体中的超快现象

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摘要

We review studies on the coherent and incoherent exciton dynamics in ZnSe-based quantum wells. First, the exciton-exciton scattering parameter Is determined from femtosecond four-wave mixing as a function of back- Ground exciton density generated by a prepulse. A linear increase in the Excitonic homogeneous linewidth is found as a function of the background Exciton density with significant different scattering parameters for the cases Of interaction with coherent or incoherent excitons.
机译:我们回顾了基于ZnSe的量子阱中相干和非相干激子动力学的研究。首先,由飞秒四波混频确定激子-激子散射参数,作为预脉冲产生的背景激子密度的函数。在与相干或非相干激子相互作用的情况下,激子均匀线宽随背景激子密度的线性增加而具有明显不同的散射参数。

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