机译:作者校正:基于四端TiO2中的氧空位分布控制的突触功能门调整?x忆空间
机译:基于氧气空位分布控制的四端子TiO2的突触功能门调谐?X Memristive Devices
机译:通过控制纳米尺度的氧空位动态来选择基于Taox基设备的忆阻界面的选择性激活
机译:新型非易失性FET中的突触可塑性,具有氧空位相关偶极物的无定形栅极绝缘体
机译:基于自旋电子和忆阻器件的非对称逻辑函数的新型逻辑综合技术
机译:作者更正:基于氧空位分布控制的四端子TiO2-x忆阻器件的突触功能门调整
机译:通过控制纳米尺度的氧空位动态来选择性激活TAO X基于设备的回忆界面