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吴应祥; 雷威; 尹涵春;
不详;
场致发射体; 阴极; 表面电场强度; 发射电流密度;
机译:直流等离子体化学气相沉积法生长的微粉化碳纳米管场致发射体阵列的电流密度为1 A / cm〜2
机译:负阴极驱动法模拟碳纳米管场致发射体的电子发射特性
机译:具有非三角势垒的锥型场致发射器的发射电流密度计算
机译:高电流密度阴极对电偶极层增强场和热电子发射的纳米尺度研究。
机译:用于高效纳米结构电子场致发射体的石墨烯涂层Mo尖端阵列
机译:人造碳基材料制成的场致发射阴极的表面改性
机译:自再生纳米尖端:用于低功率电力推进的不可变形场致发射阴极。
机译:用于照明的光源使用场致发射阴极,该场致发射阴极包括细长的线状载体,该载体具有尖端形式的导电表面不规则性
机译:场致发射阴极的制造方法,其场致发射阴极以及使用其的场致发射光源
机译:具有内部结构的场发射器件,用于内部结构的场致发射装置,用于对磷像素进行相应的场场对准用于对磷像素进行场致化的相应场强场致发射器
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