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一种适合于计算机辅助测量的产生寿命确定方法

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摘要

提出了MOS电容线性电压扫描法产生寿命测量的新方法.通过在MOS C-t曲线上读取n个不同时刻的电容值,计算出相应的产生寿命值,其精度随读取点的增加而提高,该方法也特别适合于计算机辅助测量系统.

著录项

来源
《真空电子技术》 |2002年第5期|33-35|共3页
作者
毕净; 丁扣宝;
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作者单位

浙江大学,信息与电子工程学系,浙江杭州,310028;

浙江大学,信息与电子工程学系,浙江杭州,310028;

浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江杭州,310027;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类调整、测试;
关键词
半导体; 产生寿命; 计算机辅助测量;

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