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高功率微波传输通道击穿诊断研究

             

摘要

高功率微波(HPM)器件在强电磁场作用下的击穿是限制HPM系统功率容量的主要因素之一,是HPM技术进步的瓶颈和国际性的技术挑战.本文开展了纳秒脉冲宽度、吉瓦高功率微波传输通道内击穿发光诊断实验,通过纳秒级响应的四分幅ICCD相机和光电倍增管研究了等离子体可见光和X射线发射的时间及空间发展规律.实验发现HPM通道在传输纳秒微波脉冲时有大量可见光,可能的原因是HPM源的乏电子束轰击收集极的金属表面轫致辐射连续谱的光子在波导内多次反射的结果.通过光电倍增管探测了微波源X射线幅度分布,确认了收集极存在较高能量X射线的结果.

著录项

  • 来源
    《真空电子技术 》 |2015年第2期|113-17|共6页
  • 作者单位

    西北核技术研究所高功率微波技术重点国家级实验室,陕西西安710024;

    西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室,陕西西安710049;

    西北核技术研究所高功率微波技术重点国家级实验室,陕西西安710024;

    西北核技术研究所高功率微波技术重点国家级实验室,陕西西安710024;

    西北核技术研究所高功率微波技术重点国家级实验室,陕西西安710024;

    西北核技术研究所高功率微波技术重点国家级实验室,陕西西安710024;

    西北核技术研究所高功率微波技术重点国家级实验室,陕西西安710024;

    西北核技术研究所高功率微波技术重点国家级实验室,陕西西安710024;

    西北核技术研究所高功率微波技术重点国家级实验室,陕西西安710024;

    西北核技术研究所高功率微波技术重点国家级实验室,陕西西安710024;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 微波与超高频技术 ;
  • 关键词

    高功率微波 ; 传输通道 ; 击穿 ; 诊断;

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