基于硅硅键合的电容式微超声波换能器设计与测试

摘要

通过测试电容值的变化来分析电容式微超声波换能器(CMUT)的发射性能.介绍了CMUT的工艺过程,关键工艺为硅硅键合.利用硅硅键合工艺制作的CMUT误差小、工艺流程简单且能进行量产.利用E4990A阻抗分析仪测试CMUT电容值得到CMUT初始电容值为680 pF,阵列内电容值一致性良好,误差为0.62 pF,并对所设计的CMUT进行带宽测试,得出其在-6 dB时归一化带宽为200％,远远优于现有的传感器.