MEMS加速度计横向输出抑制技术

摘要

建立了微机电系统(MEMS)结构的力学模型,分析了横向输出产生的根本原因;基于压阻效应,充分利用对称结构和电桥的抵消作用抑制横向输出;利用MEMS体硅工艺制作了量程100 gn的加速度芯片.讨论了加工、封装、测试过程中引入的敏感轴偏离,提出了解决方案.测试结果表明:样品横向灵敏度比可以达到1％,能够满足国防、汽车、工业、消费电子等各领域的应用需求.