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基于C-SOI工艺的一维MEMS电容式超声传感器阵列

         

摘要

提出了一种新的基于C-SOI工艺制备的电容式微加工超声传感器(CMUT)的方法.通过对加工过程中一些关键工艺步骤进行测试,发现所加工的微传感器尺寸与设计尺寸基本一致,且刻蚀的空腔高度均匀,键合效果良好,证明了工艺流程的可行性.此外,通过对所加工的传感器阵列进行测试发现,各阵元谐振频率和静态电容具有良好的一致性,说明以C-SOI工艺加工的CMUT器件满足设计要求,且适宜加工大阵列,这种加工技术使得加工成像阵列成为可能.

著录项

  • 来源
    《传感器与微系统》 |2015年第3期|94-96,102|共4页
  • 作者单位

    中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051;

    中北大学电子测试技术国防科技重点实验室,山西太原030051;

    中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051;

    中北大学电子测试技术国防科技重点实验室,山西太原030051;

    中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051;

    中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051;

    中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051;

    中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051;

    中北大学电子测试技术国防科技重点实验室,山西太原030051;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN55;
  • 关键词

    电容式微加工超声传感器; C-SOI工艺; ANSYS; 成像阵列; 一致性;

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