SOI基可调谐微环光滤波器设计与性能测试

摘要

基于绝缘体上硅(SOI)制作了单环与双环滤波器,并且对其滤波特性进行研究,同时分析了光耦合系数对滤波器输出特性的影响。针对倏逝波耦合结构较弱的调谐能力,提出了马赫—曾德尔干涉仪(MZI)耦合器的改进结构,微环腔长均为1 314μm的单环和双环滤波器,对于单双环,当电极功率分别为18~40 mW和21~33 mW时,可实现滤波器从欠耦合到临界耦合的调谐,且双环滤波器的中心波长在直通端电极功率0~21 mW范围移动了1 nm,相当于一个自由频谱宽度。