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陈卫军; 马里剑; 张海鹏; 余厉阳; 吕韶义;
杭州电子科技大学RF电路与系统省部共建教育部重点实验室,杭州,310018;
射频功率放大器; SOILDMOS; 计算机辅助设计与仿真; 负载牵引法;
机译:用于射频集成功率放大器的SOI双栅极沟槽LDMOSFET
机译:采用45nm CMOS SOI技术的宽带射频功率放大器,其衬底已转移到AlN
机译:级联A类微波功率放大器的设计与仿真
机译:LTE 28频段4W射频功率放大器的设计与仿真
机译:CMOS SOI技术中的射频到毫米波功率放大器。
机译:单开关组合串联并联混合包络跟踪放大器用于宽带射频功率放大器应用
机译:用于射频功率放大器应用的新型异质材料阶梯栅极(HsG)sOI LDmOs
机译:激光退火金属栅极sOI CmOs场效应晶体管的直流和射频特性
机译:堆叠式SOI横向双极晶体管射频功率放大器和驱动器
机译:射频功率放大器模块的制造方法,射频功率放大器模块,射频模块和基站
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