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蒋准; 侯旭鹏;
信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司;
江苏无锡 214071;
LED; GaN ; 蓝宝石图形化衬底; 出光效率;
机译:在图案化的蓝宝石衬底上生长的LED的GaN-蓝宝石界面处增加有效的反射和透射
机译:常规蓝宝石和圆锥形图案蓝宝石衬底上生长的基于InGaN的LED的比较
机译:FIB在蓝宝石衬底上制备微透镜阵列,以增强GaN /蓝宝石蓝色LED的电致发光
机译:大直径Si(111)衬底上的高效InGaN / GaN蓝色LED可与蓝宝石上的衬底相比
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:凹图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率
机译:在蓝宝石衬底上开发LED
机译:激光烧蚀超导YBa2Cu3O7薄膜在LaalO3衬底上的生长和图形化
机译:用于生产半导体微电子或光电子部件的蓝宝石衬底的生产包括沿着蓝宝石晶体的晶体学a轴将衬底与蓝宝石晶体分离。
机译:制备涂覆有半导体材料的蓝宝石衬底的方法,通过该方法可获得的涂覆的蓝宝石衬底以及这种衬底在发光二极管中的用途
机译:制造涂覆有半导体材料的蓝宝石衬底的方法,通过该方法可获得的涂覆的蓝宝石衬底以及具有这种衬底的发光二极管
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