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田石; 刘国辉;
锦州天维电子有限公司;
辽宁 锦州 121000;
宽禁带半导体; 本征载流子; 禁带宽度; 电力电子器件;
机译:n型半导体中光能隙对载流子浓度和本征能隙的依赖性
机译:半导体光催化剂,用于掺杂剂改性的宽禁带半导体的可见光吸收
机译:半导体表面的空间电荷,电场和自由载流子浓度的扩展曲线,以及半导体内部的静电势曲线
机译:S4-P1:用于电力电子应用的宽禁带隙半导体器件
机译:阴极发光研究宽禁带半导体的光学特性
机译:微截面半导体纳米棒内生长扇区和局部载流子浓度的任意截面SEM-阴极发光成像
机译:宽禁带半导体4H-SiC中MOS结构绝缘膜的制作与评估研究
机译:Hg(1-x)Zn(x)Te中的本征载流子浓度和电子有效质量
机译:宽禁带半导体带隙电子性能测量方法和宽禁带半导体带隙电子性能测量装置
机译:半导体器件和用于制造在多个载流子浓度峰值位置处具有最大载流子浓度的半导体器件的方法
机译:半导体载流子浓度的配置方式及半导体载流子浓度的配置方式无效
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